| 2015, 06 июнь (June) |
|
DOI: 10.14489/td.2015.06.pp.030-034 Кострин Д. К. Аннотация. Рассмотрены основы метода спектральной интерферометрии, позволяющего проводить контроль толщины полупроводни-ковых и диэлектрических пленок. Показана необходимость математической обработки спектральных данных для получения дос-товерных результатов. Проведено определение толщины нескольких образцов пленок карбида кремния на кремниевой подложке. Выявлены основные недостатки рассмотренного метода измерения и предложены способы их решения. Ключевые слова: тонкие пленки, контроль толщины, спектральная интерферометрия, оптический спектрометр.
Kostrin D. K. Abstract. It is dealt with the basics of the spectral interferometry method which allows to monitor a thickness of semiconductor and dielectric films. The halogen glow lamp with stabilized emissive power is used for measurements of spectral coefficient of reflection of films. Its radiation goes to the multiplexed light fiber named collector. It consists of two separate bundles which are weaved together at one end. The need is stressed to employ mathematical processing of the spectral data for receiving of truthful results. Data handling by polynomial filters are considered rather effective. Determination of thickness of several samples of films of silicon carbide on a silicon substrate is carried out. It is defined the main disadvantages of the considered method of measurement and ways for its solution. Attention is drawn to use of a source of radiation which consists of a set of light-emitting diodes covering all spectral range. Also, application of an advanced measurement technique with observation of ranges of reflection in case of different angles of the falling radiation is considered. Keywords: thin films, monitoring of thickness, spectral interferometry, optic spectrometer.
РусД. К. Кострин (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») E-mail: Данный адрес e-mail защищен от спам-ботов, Вам необходимо включить Javascript для его просмотра. EngD. K. Kostrin (Saint Petersburg Electrotechnical University “LETI” (ETU)) E-mail: Данный адрес e-mail защищен от спам-ботов, Вам необходимо включить Javascript для его просмотра.
Рус1. Комлев А. Е., Ухов А. А., Комлев А. А. Комплекс требований к оборудованию для осаждения пленок оксидов методом реактивного магнетронного распыления // Вакуумная техника и технология. 2012. Т. 22. № 4. С. 245 – 248. Eng1. Komlev A. E., Ukhov A. A., Komlev A. A. (2012). The complex of equipment requirements for the deposition of oxides by reactive magnetron sputtering. Vakuumnaia tekhnika i tekhnologiia,22(4), pp. 245-248.
РусСтатью можно приобрести в электронном виде (PDF формат). DOI: 10.14489/td.2015.06.pp.030-034 Скопируйте DOI статьи и перейдите по ссылке https://id-spektr.ru/product/pokupka-elektronnoy-stati-iz-zhurnala-kontrol-diagnostika В комментарии к заказу обязательно укажите DOI статьи. . EngThis article is available in electronic format (PDF). DOI: 10.14489/td.2015.06.pp.030-034 Copy the article DOI and follow the link https://id-spektr.ru/product/pokupka-elektronnoy-stati-iz-zhurnala-kontrol-diagnostika Please specify the article DOI in the order comments.
. .
|

Разработка концепции и создание сайта - ООО «Издательский дом «СПЕКТР»