2015, 04 апрель (April) | ||
DOI: 10.14489/td.2015.04.pp.056-060 Булаев И. Ю. Аннотация. Внутренние дефекты современных микросхем иногда невозможно обнаружить с помощью обычного функционального или параметрического контроля. В тех случаях, когда дефекты слишком малы, они не оказывают значительного влияния на работу микросхемы и не приводят ни к выходу электрических параметров за пределы допустимых норм, ни к нарушению функционирования. Однако по истечении некоторого времени наработки в результате протекания деградационных процессов материалов изде-лия дефект может увеличиться и привести к необратимому отказу изделия. Поэтому крайне важно на этапе автономных ис-пытаний изделия, не в составе аппаратуры, обнаружить такие внутренние дефекты. Рассматриваются различные методы диагностического неразрушающего контроля, приводятся их достоинства и недо-статки. Описан метод критического напряжения питания для поиска скрытых дефектов внутри современных микросхем. Ключевые слова: электронная компонентная база, диагностический неразрушающий контроль, метод крити-ческого напряжения питания.
Bulaev I.Yu. Abstract. Internal defects of modern chips is sometimes impossible to detect with conventional functional or parametric testing. In cases where defects are too small, they have no significant effect on the chip operation and will not cause the malfunction. However, after some time of use as a result of the flow of materials degradation processes product defect may increase and cause per-manent damage of the chip. Therefore, it is important to detect such internal defects. The report deals with the various methods of diagnostic non-destructive testing, gives its advantages and disadvantages. It is specially noted the method of the critical voltage to find hidden defects in modern chips. Keywords: electronic component base, non-destructive diagnostic testing, very low voltage testing.
РусИ. Ю. Булаев (ОАО «Российские космические системы», Москва) E-mail: Данный адрес e-mail защищен от спам-ботов, Вам необходимо включить Javascript для его просмотра. EngI. Yu. Bulaev (JSC “Russian Space Systems”, Moscow) E-mail: Данный адрес e-mail защищен от спам-ботов, Вам необходимо включить Javascript для его просмотра.
Рус1. Piet Engelke, Ilia Polian, Michel Renovell et al. The Pros and Cons of Very-Low-Voltage Testing: An Analysis based on Resistive Bridging Faults // In VLSI Test Symp. 1996. P. 338 – 343. Eng1. Piet Engelke, Ilia Polian, Michel Renovell et al. (1996). The Pros and Cons of very-low-voltage testing: an analysis based on resistive bridging faults. In VLSI Test Symp, pp. 338 – 343.
РусСтатью можно приобрести в электронном виде (PDF формат). Стоимость статьи 350 руб. (в том числе НДС 18%). После оформления заказа, в течение нескольких дней, на указанный вами e-mail придут счет и квитанция для оплаты в банке. После поступления денег на счет издательства, вам будет выслан электронный вариант статьи. Для заказа статьи заполните форму:
. EngThis article is available in electronic format (PDF). The cost of a single article is 350 rubles. (including VAT 18%). After you place an order within a few days, you will receive following documents to your specified e-mail: account on payment and receipt to pay in the bank. After depositing your payment on our bank account we send you file of the article by e-mail. To order articles please fill out the form below:
. .
|