10.14489/td.2015.04.pp.056-060

2015, 04 апрель (April)

DOI: 10.14489/td.2015.04.pp.056-060

Булаев И. Ю.
ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА КРИТИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ МИКРОСХЕМ
(с. 56-60)

Аннотация. Внутренние дефекты современных микросхем иногда невозможно обнаружить с помощью обычного функционального или параметрического контроля. В тех случаях, когда дефекты слишком малы, они не оказывают значительного влияния на работу микросхемы и не приводят ни к выходу электрических параметров за пределы допустимых норм, ни к нарушению функционирования. Однако по истечении некоторого времени наработки в результате протекания деградационных процессов материалов изде-лия дефект может увеличиться и привести к необратимому отказу изделия. Поэтому крайне важно на этапе автономных ис-пытаний изделия, не в составе аппаратуры, обнаружить такие внутренние дефекты. Рассматриваются различные методы диагностического неразрушающего контроля, приводятся их достоинства и недо-статки. Описан метод критического напряжения питания для поиска скрытых дефектов внутри современных микросхем.

Ключевые слова: электронная компонентная база, диагностический неразрушающий контроль, метод крити-ческого напряжения питания.

Bulaev I.Yu.
ERY-LOW-VOLTAGE TESTING FOR REJECTION OF WEAK INTEGRATED CIRCUITS
(pp. 56-60)

Abstract. Internal defects of modern chips is sometimes impossible to detect with conventional functional or parametric testing. In cases where defects are too small, they have no significant effect on the chip operation and will not cause the malfunction. However, after some time of use as a result of the flow of materials degradation processes product defect may increase and cause per-manent damage of the chip. Therefore, it is important to detect such internal defects. The report deals with the various methods of diagnostic non-destructive testing, gives its advantages and disadvantages. It is specially noted the method of the critical voltage to find hidden defects in modern chips.

Keywords: electronic component base, non-destructive diagnostic testing, very low voltage testing.

+ - Информация об авторах (About the Authors) Click to collapse

Рус

И. Ю. Булаев (ОАО «Российские космические системы», Москва) E-mail: Данный адрес e-mail защищен от спам-ботов, Вам необходимо включить Javascript для его просмотра.

Eng

I. Yu. Bulaev (JSC “Russian Space Systems”, Moscow) E-mail: Данный адрес e-mail защищен от спам-ботов, Вам необходимо включить Javascript для его просмотра.

+ - Библиографический список (References) Click to collapse

Рус

1. Piet Engelke, Ilia Polian, Michel Renovell et al. The Pros and Cons of Very-Low-Voltage Testing: An Analysis based on Resistive Bridging Faults // In VLSI Test Symp. 1996. P. 338 – 343.
2. Покровский Ф. Н., Номоконова Н. Н. КМОП интегральные микросхемы: формирование и оценка ка-чества. Владивосток: Изд-во Дальневост. ун-та, 1996. 51 с.

Eng

1. Piet Engelke, Ilia Polian, Michel Renovell et al. (1996). The Pros and Cons of very-low-voltage testing: an analysis based on resistive bridging faults. In VLSI Test Symp, pp. 338 – 343.
2. Pokrovskii F. N., Nomokonova N. N. (1996). CMOS integrated circuits: forming and quality assessment. Vladivostok: Izdatel'stvo Dal'nevostochnogo universiteta.

+ - Заказать электронную версию статьи (Purchase digital version of a single article) Click to collapse

Рус

Статью можно приобрести в электронном виде (PDF формат).

DOI: 10.14489/td.2015.04.pp.056-060

Скопируйте DOI статьи и перейдите по ссылке https://id-spektr.ru/product/pokupka-elektronnoy-stati-iz-zhurnala-kontrol-diagnostika

В комментарии к заказу обязательно укажите DOI статьи.

Eng

This article is available in electronic format (PDF).

DOI: 10.14489/td.2015.04.pp.056-060

Copy the article DOI and follow the link https://id-spektr.ru/product/pokupka-elektronnoy-stati-iz-zhurnala-kontrol-diagnostika

Please specify the article DOI in the order comments.